В Институте сверхтвердых материалов им. В.Н. Бакуля НАН Украины разработана принципиально новая конструкция широкополосных датчиков акустической эмиссии с рабочей полосой частот от 200 кГц до 1200 кГц.
В конструкции датчика применен метод демпфирования тыльной стороны пьезопластины – чувствительного элемента датчика акустической эмиссии.
В качестве демпфера использован оригинальный материал, состоящий из частиц WC и TiNi, скрепленных эпоксидной смолой с отвердителем. Состав демпфера подобран таким образом, что его акустический импеданс равен импедансу пъезокерамики, а демпфирующие свойства максимальны благодаря использованию мартенситного превращения TiMi с поглощением энергии. За счет этого удалось увеличить демпфирующие свойства демпфера в 1.5-2 раза. В совокупности это позволило значительно уменьшить резонансные пики, исключить паразитные отраженные сигналы с тыльной стороны пластины и от корпуса датчика, уменьшить неравномерность амплитудно – частотной характеристики с 23 дБ до 8,5 дБ.
Для согласования датчиков с электронной аппаратурой совместно с Национальным авиационным университетом (НАУ) разработан оригинальный зарядовый усилитель сигнала акустической эмиссии с дифференциально-токовыми входами, реализующий оптимальную схему включения датчика и предварительное усиление с минимальным соотношением «сигнал – шум».
Разработана система градуировки датчиков АЭ, позволяющая под управлением персонального компьютера оперативно исследовать АЧХ датчиков АЭ и паспортизировать их характеристики.
Справки:
04074,Киев-74, ул. Автозаводская, 2.
Телефон: 8(044) 430-82-45
E-mail: ldevin@ism.kiev.ua
Зав. лаб. №18/21 ИСМ НАНУ, д.т.н., проф. Девин Л.Н.