Головна
Ювілеї
Про Нас
Новини
Історія
Наука
Захист дисертацій
Видання
Результати
Вакансії
+ Відділи : Відділ №1
Відділ №3
Відділ №4
Відділ №6
Відділ №7
Відділ №9
Відділ №11
Відділ №13
Відділ №14
Відділ №18
Відділ №20
Відділ №22
Рада молодих вчених
Науково-організаційний відділ
Керівництво Інституту
АЛКОН
Виробництво
Інвестиції
Міжвідомча рада
Інформація по закупівлях на 2016 рік
e-mail
Пошукова система по науковим документам ІНМ
"СВЕРХТВЁРДЫЕ МАТЕРИАЛЫ"
Бібліотека
XX Міжнародна конференція
Обладнання центру
Положення
Контакти
Порядок оформлення заявок

Випуск № 6, рік 2016

УДК 539.89 : 620.178

Е. М. Супрун1, *, В. А. Каленчук1, С. А. Ивахненко1,
А. М. Куцай1, В. В Лысаковский1, О. А. Заневский1,
Ван Дуфу2, Ван Шенлинь2
1Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля
НАН Украины, г. Киев, Украина
2Компания “Best Environment Ltd”, г. Цзинань, Китай
*alona_suprun@mail.ru
Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса (стр. 3–8)

В условиях высоких давлений и температур выращены монокристаллы алмаза типа Ib размером до 5–6 мм и массой до 2,4 карат. С помощью инфракрасной и оптической микроскопии, а также метода избирательного травления исследованы дефектно-примесный состав и дислокационная структура таких кристаллов. Минимизация температуры выращивания позволила получать кристаллы типа Ib кубического габитуса, в которых находятся дефектные области в форме конуса с диаметром основания 0,2–1,8 мм и высотой 0,5–2,5 мм. Исследование конусообразных дефектных областей с применением избирательного травления показало, что ямки травления при выходе их на поверхность граней имеют тетрагональную форму, плотность дислокаций в них превышает в 70–100 раз плотность дислокаций в кристаллах, выращенных при обычных условиях. Наблюдаемые дефектные области образуются в процессе роста кристаллов алмаза при снижении температуры на ~ 30–35 °С на фронте кристаллизации из-за увеличения теплоотвода в направлении затравочного кристалла.

Ключевые слова: алмаз, монокристалл, габитус, дефектно-примесный состав, ИК-спектроскопия, метод избирательного травления.



УДК 620.22:669.018.25

А. Ф. Лисовский*, Н. А. Бондаренко, С. А. Давиденко
Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля
НАН Украины, г. Киев, Украина
*lisovsky@ism.kiev.ua
Структура и свойства композита алмаз–WC–6Co, легированной 1,5 % (по массе) CrSi2 (стр. 9–21)

На мезо-, микро- и субмикроуровне изучено влияние хрома и кремния на структуру композита алмаз–WCCo, легированной дисилицидом хрома. Установлено, что в условиях формирования структуры композита алмаз–WCCo + CrSi2 хром и кремний не растворяются в частицах алмаза и карбида WC, образуют твердый раствор Со(W,C,Cr,Si), уменьшая при этом энергию дефекта упаковки, что способствует полиморфному превращению Со(ГЦК)®Со(ГПУ). Хром взаимодействует с атомами углерода в алмазе и карбиде WC, в результате чего исчезает слой графита в зоне контакта алмаз/Со-фаза, а в объеме WC–Со-матрицы образуется карбид Co3W3C. Хром и кремний обеспечивают хорошее удержание частиц алмаза WC–Со-матрицей, увеличивают значение предела прочности при сжатии композита алмаз–WCCo + CrSi2.

Ключевые слова: структура, энергия дефекта упаковки, композит, алмаз.

  

УДК 669.295.539.121.537.534

А. Д. Погребняк1,*, С. О. Борьба1, Я. О. Кравченко1 ,
Е. О. Тлеукенов2, С. В. Плотников2, В. М. Береснев3,
Y. Takeda4, K. Oyoshi4, А. И. Купчишин5
1Сумский государственный университет, г. Сумы, Украина
2Восточно-казахстанский государственный технический
университет им. Д. Серикбаева, г. Усть-Каменогорск, Казахстан
3Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина,
г. Харьков, Украина
4Национальный институт материаловедения, г. Цукуба, Япония
5Казахстанский национальный педагогический университет
им. Абая, г. Алматы, Казахстан
*alexp@i.ua
Влияние имплантации наноструктурного покрытия (TiHfZrVNbTa)N высокой дозой ионов N+ (1018 см–2) на его микроструктуру, элементный и фазовый состав и физико-механические свойства (стр. 22–32)

Изучены структура и свойства наноструктурных многокомпонентных покрытий (TiHfZrNbVTa)N, имплантированных очень высокой (1018 см–2) дозой ионов N+. В результате имплантации ионов в поверхностном слое наноструктурного покрытия формируется многослойная структура, состоящая из аморфных, нанокристаллических (диспергированного) и наноструктурных (с исходными размерами) нанослоев. В глубине покрытия формируются две фазы – ГЦК и ГПУ с небольшим объемным содержанием. Концентрация азота вблизи поверхности достигает 90 % (aт.) и затем уменьшается с глубиной. В исходном состоянии после осаждения нанотвердость покрытия, в зависимости от условий осаждения, имеет значения от 27 до 34 ГПa. В результате имплантации твердость уменьшается примерно на глубину проективного пробега ионов – до 12 ГПa, а дальше увеличивается с глубиной до 23 ГПa. Исследования проводили с помощью резерфордовского обратного рассеяния, растровой электронной микроскопии с микроанализом, высокоразрешающей электронной микроскопии (с локальным микроанализом), дифракции рентгеновских лучей, наноидентирования, тестов на износ.

Ключевые слова: имплантация, наноструктурное многокомпонентное покрытие, микроструктура, элементный и фазовый состав, физико-механические свойства.

  

УДК 666.762.93:536.2:546.281.26

В. Г. Кулич*, А. Л. Майстренко, В. Н.Ткач, Я. А. Подоба
Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля
НАН Украины, г. Киев, Украина
*v.kulich@ukr.net
Насыщение капиллярных пор брикетов карбида кремния жидкофазными углеродосодержащими растворами перед реакционным спеканием (стр. 33–45)

Исследован процесс увеличения насыщения углеродом пористого брикета карбида кремния посредством многократной инфильтрации растворов нефтяного кокса вместо традиционно используемых твердофазного порошка ламповой сажи или мелкодисперсного порошка графита, предназначенных для обеспечения реакционного спекания карбида кремния с целью уменьшения доли свободного кремния, сохраняющегося в структуре после спекания.

Ключевые слова: реакционно-спеченный карбид кремния, углерод, нефтяной кокс, кремний, пропитка, коксование, вторичный карбид кремния.

 

UDC 621.921.34:546.27:536.4/.631:538.945

S. Tarelkin1, 2, 3, *, V. Bormashov1, 2, M. Kuznetsov1, S. Buga1, 2, S. Terentiev1, D. Prikhodko1, 2, Golovanov1, 2, V. Blank1
1Technological Institute for Superhard and Novel Carbon
Materials, Moscow, Troitsk, Russia
2Moscow Institute of Physics and Technology, Dolgoprudny, Moscow Region, Russia
3National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia
*
sergey.tarelkin@gmail.com
Heat capacity of bulk boron doped single crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K (стр. 46–51)

Heat capacity Ср of boron-doped single crystal diamonds grown by the temperature gradient method was studied. Boron content was about < 1016, ~ 1018 and ~ 1020 cm–3. Heat capacity data for all tested crystals match well within the measurement accuracy (1 %) in the temperature range of 150–400 K and obey the Debye law. At low temperatures heat capacity follows linear law possibly due to metallic inclusions in diamond bulk. Using this data the amount of metal can be calculated for each sample.

Keywords: synthetic diamond, boron-doped diamond, superconductivity, heat capacity, cryogenic temperatures.

  

УДК 621.923: 621.922

В. І. Лавріненко1, *, В. Ю. Солод2, **
1Інститут надтвердих материалів ім. В. М. Бакуля НАН України, м. Київ, Україна
2Дніпродзержинський державний технічний університет, м. Кам’янське, Україна
*lavrinenko@ism.kiev.ua
**v_solod@ukr.net
Окислення або оксидні матеріали в зоні обробки кругами з НТМ як чинник впливу на показники процесу шліфування (стр. 52–60)

Розглянуто застосування для процесів шліфування опосередкованих заходів, які стимулюють процеси окислення, а також використання в складі робочого шару кругів оксидів і матеріалів, схильних до окислення, оскільки пряме введення кисню в зону обробки, що є важливим чинником зміни трибо­технічних характеристик контактних поверхонь, викликає певні труднощі.

Ключові слова: окислення, зона обробки, шліфування, круги з надтвердих матеріалів, оксиди, плазмовий вплив, плівки.

  

УДК 666.792.34:539.89

В. З. Туркевич*, Д. А. Стратийчук, Д. В. Туркевич
Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля НАН Украины, г. Киев, Украина
*vturk@ism.kiev.ua
Термодинамический расчет диаграммы состояния системы Al–В–С при давлении 7,7 ГПа  (стр. 61–65)

С помощью моделей феноменологической термодинамики с параметрами взаимодействия, полученными на основании экспериментальных данных по фазовым равновесиям при высоких давлениях и температурах, рассчитана диаграмма состояния системы AlBC при давлении 7,7 ГПа.

Ключевые слова: диаграмма состояния, высокое давление, высокотвердые композиты

 

 УДК 004.65:621.921.34

В. Н. Кулаковский, В. Н. Колодницкий*, В. В. Цегельнюк, И. В. Скворцов
Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля НАН Украины, г. Киев, Украина
*stmj@ism.kiev.ua
Об одном подходе к построению информационной системы управления научными знаниями в предметной области “Сверхтвердые материалы” (стр. 66–69)

Рассмотрен подход на основе эвристического метода распознавания образов к построению информационной системы управления научными знаниями, представленными в виде электронных документов различных типов. Описан алгоритм автоматической классификации документов по научным направлениям в предметной области “Сверхтвердые материалы”.

Ключевые слова: сверхтвердые материалы, информационная система, автоматическая классификация, электронные документы.

 

 

На головну

Выпуск № 4, год 2017
Сверхтвердые материалы
Історія журналу "Сверхтвердые материалы"
Склад редакційної колегії
Редакція журналу “Сверхтвердые материалы”
Архів журналу СТМ
ВИМОГИ ДО ОФОРМЛЕННЯ СТАТЕЙ
Передплата
НАУКОВО-ТЕОРЕТИЧНИЙ ЖУРНАЛ «СВЕРХТВЕРДЫЕ МАТЕРИАЛЫ» У СВІТОВОМУ ІНФОРМАЦІЙНОМУ ПРОСТОРІ

Інститут Надтвердих Матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України Україна, 04074, Київ, вул.Автозаводська, 2;
Тел.: (+38 044) 468-86-40 Факс: 468-86-25 www.ism.kiev.ua Е-mail: alcon@ism.kiev.ua